П-25 Способ изготовления полевого транзистора с барьером Шоттки
П-25 Способ изготовления полевого транзистора с барьером Шоттки
Патент на изобретение
№ 2349987
Краткое описание: Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано для изготовления полевых транзисторов с барьером Шоттки.
Год начала использования: 2007
Патентообладатель: ОАО «ОКБ-Планета»
Уровень новизны: Новый на отечественном рынке
Авторизация
Наш опрос
Знаете ли Вы, что такое инновации?